脉冲激光沉积系统

仪器编号：S00029

运行状态：正常

功率：22000 W

测试单价：400.00 元 / 小时

已测试数：115 次

联系人电话：0551-63607330

联系人邮箱：yllu@ustc.edu.cn

日本Pascl公司生产，系统采用波长248 nm，脉冲宽度~20 ns的 KrF 准分子激光器轰击靶材，使用二极管红外激光器对基片加热（>1000°C）。采用差分反射式高能电子衍射系统(RHEED)，可对薄膜生长过程进行原位观察，分析薄膜表面结构。旋转靶台上可同时安装六个靶，可以通过转动装置切换靶材，实现多层膜/超晶格薄膜的生长，是制备氧化物单晶外延薄膜的重要技术手段。 系统带有两个掩膜板，可通过控制掩模板的移动，改变掩模板形状组合方式，在同一衬底上生长组分、厚度连续变化(二维、三维、四维)的梯度膜，或结合靶材切换、基片旋转，设计组合材料芯片。